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Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Artikel-Nr.:
     2805-IXYA20N65C3D1
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXYA20N65C3D1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: TO263
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 20A
Kollektorstrom im Impuls: 105A
Anschaltzeit: 51ns
Ausschaltzeit: 132ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 200W
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 30nC
Technologie: Planar;GenX3™;XPT™
Weitere Suchbegriffe: smd transistor
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