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Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 24A; 250W; TO268


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 24A; 250W; TO268
Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 24A; 250W; TO268
Artikel-Nr.:
     2805-IXGT24N170A
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXGT24N170A
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: TO268
Kollektor-Emitter-Spannung: 1,7kV
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 24A
Kollektorstrom im Impuls: 75A
Anschaltzeit: 54ns
Ausschaltzeit: 456ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 250W
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Hochspannung
Gate-Ladung: 0,14µC
Technologie: NPT
Weitere Suchbegriffe: ixys igbt, smd transistor
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