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Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 20A; 180W; TO263


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 20A; 180W; TO263
Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 20A; 180W; TO263
Artikel-Nr.:
     2805-IXGA20N120A3
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXGA20N120A3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: TO263
Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 20A
Kollektorstrom im Impuls: 120A
Anschaltzeit: 66ns
Ausschaltzeit: 1,53µs
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 180W
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 50nC
Technologie: GenX3™;PT
Weitere Suchbegriffe: ixys igbt, smd transistor
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