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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 6A; 75W; D3PAK


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 6A; 75W; D3PAK
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 6A; 75W; D3PAK
Artikel-Nr.:
     2805-IXBT6N170
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXBT6N170
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: D3PAK
Kollektor-Emitter-Spannung: 1,7kV
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 6A
Kollektorstrom im Impuls: 36A
Anschaltzeit: 104ns
Ausschaltzeit: 700ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 75W
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Hochspannung
Gate-Ladung: 17nC
Technologie: FRED;BiMOSFET™
Weitere Suchbegriffe: ixys igbt, smd transistor
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