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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 150W; TO268


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 150W; TO268
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 150W; TO268
Artikel-Nr.:
     2805-IXBT16N170A
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXBT16N170A
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: TO268
Kollektor-Emitter-Spannung: 1,7kV
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 10A
Kollektorstrom im Impuls: 40A
Anschaltzeit: 43ns
Ausschaltzeit: 370ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 150W
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Hochspannung
Gate-Ladung: 65nC
Technologie: BiMOSFET™
Weitere Suchbegriffe: ixys igbt, smd transistor
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