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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 65A; SOT227B


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IXYS IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 350 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal
Artikel-Nr.:
     2805-IXA70I1200NA
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXA70I1200NA
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
IGBT Module
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: IXYS
Gehäuse: SOT227B
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 65A
Kollektorstrom im Impuls: 150A
Verlustleistung: 350W
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Hochspannung
Technologie: XPT™
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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