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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 56A; SOT227B

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
2805-IXA60IF1200NA

Hersteller:
IXYS

Herst.-Nr.:
IXA60IF1200NA

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

IGBT
IGBT Module
SMD-Transistor
Schalttransistor

Hersteller: IXYS
Gehäuse: SOT227B
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 56A
Kollektorstrom im Impuls: 150A
Verlustleistung: 290W
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Hochspannung
Technologie: XPT™

... > Lager 2805 > Diskrete Halbleitermodule > IGBT-Module

Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor

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