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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 156A; 195W; D2PAK


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 156A; 195W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 156A; 195W; D2PAK
Artikel-Nr.:
     2805-IRLS3813TRLPBF
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRLS3813TRLPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 156A
Widerstand im Leitungszustand: 1,95mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 195W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Rolle
Gate-Ladung: 55nC
Technologie: HEXFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: mosfet infineon, smd transistor, mosfet 30v
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