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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,71A; 1,3W; DIP4


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,71A; 1,3W; DIP4
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,71A; 1,3W; DIP4
Artikel-Nr.:
     2805-IRFD110PBF
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     IRFD110PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: THT
Gehäuse: DIP4
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 0,71A
Widerstand im Leitungszustand: 0,54Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,3W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 8,3nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.