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Infineon HEXFET IRLB8721PBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 62 A 65 W, 3-Pin TO-220AB


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Infineon HEXFET IRLB8721PBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 62 A 65 W, 3-Pin TO-220AB
Artikel-Nr.:
     108EL-7259322
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRLB8721PBF
EAN/GTIN:
     5059043878287
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
MOSFET-Relais
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 62 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 9 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.35V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.35V
Verlustleistung max. = 65 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.83mm
Serie = HEXFET

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
62 A
Drain-Source-Spannung max.:
30 V
Gehäusegröße:
TO-220AB
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
9 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.35V
Gate-Schwellenspannung min.:
1.35V
Verlustleistung max.:
65 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Breite:
4.83mm
Serie:
HEXFET
Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, leistungs-mosfet, mosfet 30v, 7259322, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRLB8721PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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