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Infineon HEXFET IRFP4668PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 130 A 520 W, 3-Pin TO-247AC


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Produktinformationen
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Infineon HEXFET IRFP4668PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 130 A 520 W, 3-Pin TO-247AC
Artikel-Nr.:
     108EL-6887027
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFP4668PBF
EAN/GTIN:
     5059045590101
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 130 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = TO-247AC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 10 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 520 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 5.31mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon. Motorsteuerungs-MOSFET. Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung. Synchrongleichrichter-MOSFET. Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
130 A
Drain-Source-Spannung max.:
200 V
Gehäusegröße:
TO-247AC
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
10 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
5V
Gate-Schwellenspannung min.:
3V
Verlustleistung max.:
520 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-30 V, +30 V
Breite:
5.31mm
Betriebstemperatur min.:
-55 °C
Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet 130 a, 6887027, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFP4668PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.