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Infineon HEXFET IRFB5620PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 25 A 14 W, 3-Pin TO-220AB

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Produktinformationen

Infineon HEXFET IRFB5620PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 25 A 14 W, 3-Pin TO-220AB

Artikel-Nr.:
108EL-6886973

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IRFB5620PBF

EAN/GTIN:
5059045592860

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 25 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 73 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 14 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 25 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C

MOSFET für Digital-Audio, Infineon. Verstärker der Klasse D werden schnell zur bevorzugten Lösung für kommerzielle und private Audio- und Videosysteme. Infineon bietet ein umfassendes Sortiment von Produkten an, die das Design von Verstärkern der Klasse D mit hoher Effizienz vereinfachen.

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	25 A
Drain-Source-Spannung max.:	200 V
Gehäusegröße:	TO-220AB
Montage-Typ:	THT
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	73 mΩ
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	5V
Gate-Schwellenspannung min.:	3V
Verlustleistung max.:	14 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:	25 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.:	-55 °C

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Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet to-220ab, 6886973, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFB5620PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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