| |
|
| Artikel-Nr.: 108EL-5411922 Herst.-Nr.: IRFB9N60APBF EAN/GTIN: 5059040892330 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9,2 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 750 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 170 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Breite = 4.7mm Höhe = 9.01mm
N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 9,2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 750 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 170 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Breite: | 4.7mm | Höhe: | 9.01mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet to-220ab, 5411922, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFB9N60APBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |