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| Artikel-Nr.:
108EL-2156652 Herst.-Nr.:
IKB40N65EH5ATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 74 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30 V
Verlustleistung max. = 333 W
Gehäusegröße = PG-TO247-3
Pinanzahl = 3 Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 74 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V, ±30 V | Verlustleistung max.: | 333 W | Gehäusegröße: | PG-TO247-3 | Pinanzahl: | 3 |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, smd transistor, 2156652, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKB40N65EH5ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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