Produktinformationen: | | |
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| Artikel-Nr.:
108EL-2144454 Herst.-Nr.:
IRF6645TRPBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 25 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = DirectFET ISOMETRISCH
Montage-Typ = SMD
Drain-Source-Widerstand max. = 0,035 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4.9V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = DirectFET
Dieser starke IRFET-Leistungs-MOSFET von Infineon ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Er ist ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern.Er ist für die synchrone Gleichrichtung optimiert Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 25 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | DirectFET ISOMETRISCH | Montage-Typ: | SMD | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,035 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.9V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | DirectFET |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 2144454, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF6645TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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