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| Artikel-Nr.:
108EL-2025740 Herst.-Nr.:
NVH4L080N120SC1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 29 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = TO-247-4
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,08 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.3V
Transistor-Werkstoff = SiC
Serie = NVH Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 29 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Gehäusegröße: | TO-247-4 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,08 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.3V | Transistor-Werkstoff: | SiC | Serie: | NVH |
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| Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, mosfet, 2025740, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVH4L080N120SC1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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