IXYS HiperFET, Polar IXTP50N20P N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 50 A 360 W, 3-Pin TO-220

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 60 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.5V
Verlustleistung max. = 360 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Höhe = 9.15mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS