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| Artikel-Nr.:
108EL-1867137 Herst.-Nr.:
BCW30LT1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = PNP
Kollektor-Emitter-Spannung = –32 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 300 mW
Gleichstromverstärkung min. = 215
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = –5 V
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | Kollektor-Emitter-Spannung: | –32 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 300 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 215 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | –5 V | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 1867137, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, BCW30LT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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