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| Artikel-Nr.:
108EL-1780922 Herst.-Nr.:
IRLD014PBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = HVMDIP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 200 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 1,3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -10 V, +10 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 3.37mm
N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1,7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | HVMDIP | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 200 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 1,3 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -10 V, +10 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 3.37mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, leistungs-mosfet, 1780922, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRLD014PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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