Infineon HEXFET IRF9335TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,4 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 5,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 110 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.4V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.3V
Verlustleistung max. = 2,5 W
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodendurchschlagsspannung = 1.2V

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.