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onsemi 2N7000 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 mA 400 mW, 3-Pin TO-92


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Artikel-Nr.:
     108EL-1241310
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     2N7000TA
EAN/GTIN:
     5059042718980
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 200 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-92
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.3V
Verlustleistung max. = 400 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Länge = 5.2mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C

MOSFET mit erhöhter Leistung, Fairchild Semiconductor. Robuste Stoßentladungstechnologie Robuste Gate-Oxide-Technologie Niedrigere Eingangskapazität Optimierte Gatterladung
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
200 mA
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
TO-92
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
5 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
0.3V
Verlustleistung max.:
400 mW
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-30 V, +30 V
Länge:
5.2mm
Betriebstemperatur min.:
–55 °C
Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, mosfet, mosfet 60v, 1241310, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, 2N7000TA, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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