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| Artikel-Nr.:
108EL-1220089 Herst.-Nr.:
MJ15025G EAN/GTIN:
5059042132670 |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -16 A
Kollektor-Emitter-Spannung = -250 V
Gehäusegröße = TO-204
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 250 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 400 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 4 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +200 °C
Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. PNP-Leistungstransistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | -16 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | -250 V | Gehäusegröße: | TO-204 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 250 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 400 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 4 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +200 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungstransistor, onsemi transistor, 1220089, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJ15025G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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