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| Artikel-Nr.:
102-2809300-BP Herst.-Nr.:
BC859C EAN/GTIN:
k.A. |
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| Diotec Transistor (BJT) - diskret BC859C SOT-23 PNP
BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP
Technische Daten:
Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 520 · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 30 V · Leistung (max) P(TOT): 0.25 W · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 100 MHz · VCE Sättigung (max.): 650 mV · Weitere technische Daten: Typ: SMD
Gehäuse: SOT-23
Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 30 V
DC Kollektorstrom - IC: 100 mA
Polarität - pol: PNP
Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
Verlustleistung - Ptot: 0.250 W
Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 520
VCE: 5 V
IC: 2 mA
Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 650 mV
IC: 100 mA
IB: 5 mA
Transitfrequenz - ft: 100 MHz
IC: 10 mA
VCE: 5 V
f: 100 MHz
Weitere Informationen: | | Inhalt: | 1 St. | Hersteller: | Diotec | Marke: | Diotec | Gehäuseart (Halbleiter): | SOT-23 | Ausführung (Transistoren): | PNP | Typ (Hersteller-Typ): | BC859C | Montageart: | Oberflächenmontage | Kollektor-Emitterspannung U(CEO): | 30 V | Collector-Strom I(C): | 100 mA | DC Stromverstärkung (hFE): | 520 | Betriebstemperatur (max.): | 150 °C | Leistung (max) P(TOT): | 0.25 W | Transitfrequenz f(T): | 100 MHz | VCE Sättigung (max.): | 650 mV | RoHS-konform: | Ja | Produkt-Art: | Transistor (BJT) - diskret |
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