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Vishay IRFBC40PBF MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
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Artikel-Nr.:
     102-162568-BP
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     IRFBC40PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Vishay IRFBC40PBF MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220

MOSFET (HEXFET)

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 600 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 1300 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): VIS · I(d): 6.2 A · Leistung (max) P(TOT): 125 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 60 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 1.2 Ω · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 3.7 A · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 600 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V

Weitere Informationen:
Inhalt:
1 St.
Hersteller:
Vishay
Anzahl Kanäle:
1
Marke:
Vishay
Gehäuseart (Halbleiter):
TO-220
Ausführung (Transistoren):
N-Kanal
Transistor-Merkmal:
Standard
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):
VIS
Typ (Hersteller-Typ):
IRFBC40PBF
Montageart:
Durchführungsloch
C(ISS):
1300 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
I(d):
6.2 A
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Betriebstemperatur (min.) (num):
-55 °C
Leistung (max) P(TOT):
125 W
Q(G):
60 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
R(DS)(on):
1.2 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom:
3.7 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
U(DSS):
600 V
U(GS)(th) max.:
4 V
Abbruchspannung U(BR) (DSS):
600 V
Status: Education Product:
1
Produkt-Art:
MOSFET
Weitere Suchbegriffe: Transistor, leistungs-mosfet, Vishay, IRFBC40PBF, IRFBC40PBF-ND, FET
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Warenzustand:unbenutzt
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