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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3,9A; 125W; TO220AB


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3,9A; 125W; TO220AB
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3,9A; 125W; TO220AB
Artikel-Nr.:
     2805-IRFBC40PBF
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     IRFBC40PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 3,9A
Widerstand im Leitungszustand: 1,2Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 125W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 60nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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