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| Artikel-Nr.:
102-160811-BP Herst.-Nr.:
IXTH6N100D2 EAN/GTIN:
k.A. |
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| IXYS IXTH6N100D2 MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-247AD
Transistor unipolar (MOSFET)
Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 1000 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 2650 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): IXY · I(d): 6 A · Leistung (max) P(TOT): 300 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 95 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 5 V · R(DS)(on): 2.2 Ω · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 0 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 3 A · Transistor-Merkmal: Deleption Mode · U(DSS): 1000 V
Weitere Informationen: | | Inhalt: | 1 St. | Hersteller: | IXYS | Anzahl Kanäle: | 1 | Marke: | IXYS | Gehäuseart (Halbleiter): | TO-247AD | Ausführung (Transistoren): | N-Kanal | Transistor-Merkmal: | Deleption Mode | Hersteller-Kürzel (Bauelemente): | IXY | Typ (Hersteller-Typ): | IXTH6N100D2 | Montageart: | Durchführungsloch | C(ISS): | 2650 pF | C(ISS) Referenz-Spannung: | 25 V | I(d): | 6 A | Betriebstemperatur (max.): | +150 °C | Betriebstemperatur (min.) (num): | -55 °C | Leistung (max) P(TOT): | 300 W | Q(G): | 95 nC | Q(G) Referenz-Spannung: | 5 V | R(DS)(on): | 2.2 Ω | R(DS)(on) Referenz-Strom: | 3 A | R(DS)(on) Referenz-Spannung: | 0 V | U(DSS): | 1000 V | Abbruchspannung U(BR) (DSS): | 1000 V | Produkt-Art: | MOSFET |
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| Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, IXYS, IXTH6N100D2, depletion-mode-mosfet, FET |
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