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ON Semiconductor FQP13N10 MOSFET 1 N-Kanal 65 W TO-220-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-1264181-BP
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FQP13N10
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
ON Semiconductor FQP13N10 MOSFET 1 N-Kanal 65 W TO-220-3

MOSFET

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 450 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · I(d): 12.8 A · Leistung (max) P(TOT): 65 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 16 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 180 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 6.4 A · Serie (Halbleiter): QFET® · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 100 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V

Weitere Informationen:
Inhalt:
1 St.
Hersteller:
ON Semiconductor
Anzahl Kanäle:
1
Marke:
ON Semiconductor
Gehäuseart (Halbleiter):
TO-220-3
Ausführung (Transistoren):
N-Kanal
Serie (Halbleiter):
QFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):
OnS
Typ (Hersteller-Typ):
FQP13N10
Montageart:
Durchführungsloch
C(ISS):
450 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
I(d):
12.8 A
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Betriebstemperatur (min.) (num):
-55 °C
Leistung (max) P(TOT):
65 W
Q(G):
16 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
R(DS)(on):
180 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
6.4 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
U(DSS):
100 V
U(GS)(th) max.:
4 V
Abbruchspannung U(BR) (DSS):
100 V
Produkt-Art:
MOSFET
Weitere Suchbegriffe: ON Semiconductor, FQP13N10, 671-5023, FQP13N10-ND
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