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"Transistor"

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Nexperia BC847B,235 SMD, PNP Transistor –45 V / -100 mA, SOT-23 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = –45 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 200 Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente ...
Nexperia
BC847B,235
ab € 202,30*
pro 10.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 22A; 12,5W; DFN5x6 (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: DFN5x6 Struktur des Halbleiters: gemeinsamer Drain Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 22A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Transi...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6812
ab € 0,49*
pro Stück
 
 Stück
Mitsubishi IGBT-Modul / 600 20V max. Dual, 1200 V Modul N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 600 Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = PCB-Montage Channel-Typ = N Transis...
Mitsubishi
CM600DX -24T #300G
ab € 312,24*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 3A; 730mW; TSOP6 (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: TSOP6 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 3A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 0,73W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AO6802
ab € 0,107*
pro Stück
 
 Stück
Mitsubishi IGBT-Modul / 400 A 20V max. Dual, 600 V 2,83 kW 94 x 48 mm (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 400 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 2,83 kW Gehäusegröße = 94 x 48 mm Transistor-Konfiguration = Dual
Mitsubishi
CM400DY-13T#300G
ab € 1.747,06*
pro 10 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0,25A; 0,31W; SOT363 (3 Angebote) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT363 Drain-Source Spannung: 50V Drainstrom: 0,25A Widerstand im Leitungszustand: 2,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 0,31W Pola...
Diodes
DMN53D0LDW-7
ab € 0,0405*
pro Stück
 
 Stück
Infineon OptiMOS™ 5 IPC100N04S5L1R1ATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 100 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 100 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Serie = OptiMOS™ 5 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0011 O Channel-Modus = Enhancemen...
Infineon
IPC100N04S5L1R1ATMA1
ab € 1,12*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 16A; 12,5W; DFN5x6 (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: DFN5x6 Struktur des Halbleiters: gemeinsamer Drain Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 4,4mΩ Tran...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6810
ab € 0,54*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 1,25W; TSOT25 (2 Angebote) 
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: TSOT25 Struktur des Halbleiters: gemeinsame Quelle Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 2A Widerstand im Leitungszustand: 154mΩ Transistor-Typ...
ROHM Semiconductor
QS5K2TR
ab € 0,213*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia BC807-16QBZ SMD, PNP Transistor –45 V / –500 mA, DFN1110D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –500 mA Kollektor-Emitter-Spannung = –45 V Gehäusegröße = DFN1110D-3 Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 100
Nexperia
BC807-16QBZ
ab € 0,0408*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5,8A; 1,3W; SO8 (2 Angebote) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 5,8A Widerstand im Leitungszustand: 36mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 1,3W Polarisie...
Diodes
DMN3024LSD-13
ab € 0,192*
pro Stück
 
 Stück
Mitsubishi IGBT-Modul / 450 20V max. Dual, 1200 V Modul N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 450 Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = PCB-Montage Channel-Typ = N Transis...
Mitsubishi
CM450DY-24T #300G
ab € 249,49*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0,17A; 285mW; SC88 (1 Angebot) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SC88 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,17A Widerstand im Leitungszustand: 4,7Ω Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 285mW Polarisierung: uni...
Toshiba
SSM6N7002CFU,LF(T
ab € 0,142*
pro 5 Stück
 
 Packungen
Infineon IPC90N04S5-3R6 Transistor 40 V (2 Angebote)
Infineon
IPC90N04S53R6ATMA1
ab € 0,39*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 22/28A; 12/13W; DFN5x6 (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: DFN5x6 Struktur des Halbleiters: asymmetrisch Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 22/28A Widerstand im Leitungszustand: 5,2/2,9mΩ Tr...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6934A
ab € 0,339*
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