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  Schalttransistor  (12.261 Angebote unter 27.974.066 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Schalttransistor"

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Transistor: IGBT; PT; 900V; 36A; 417W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 900V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 36A Kollektorstrom im Impuls: 110A Anschaltze...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT25GP90BG
ab € 8,80*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 450 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW AG-ECONOD (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 450 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Konfiguration = Dual Montage-Typ = Chassismontage Transistor-Konfigu...
Infineon
FF450R12ME7B11BPSA1
€ 2.017,50*
pro 10 Stück
 
 Packung
Transistor: IGBT; PT; 600V; 54A; 416W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 54A Kollektorstrom im Impuls: 161A Anschaltze...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT54GA60B
ab € 6,36*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; NPT; 650V; 56A; 543W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 650V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 56A Kollektorstrom im Impuls: 224A Anschaltze...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT45GR65B
ab € 4,84*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; PT; 600V; 36A; 290W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 36A Kollektorstrom im Impuls: 109A Anschaltze...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT36GA60BD15
ab € 6,83*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 28 A +/-20V max. 7-fach, 1200 V 130 W (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 28 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Verlustleistung max. = 130 W
Infineon
FP15R12W1T4BOMA1
ab € 1.067,04*
pro 24 Stück
 
 Packung
Transistor: IGBT; PT; 900V; 50A; 543W; T-Max (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: T-Max Kollektor-Emitter-Spannung: 900V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom im Impuls: 160A Anschaltzeit...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40GP90B2DQ2G
ab € 18,57*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 450 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 13-Pin ECONODUAL N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 450 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = ECONODUAL Channel-Typ = N Pinanzahl = 13 Transistor-K...
Infineon
FF450R12ME4EB11BPSA1
€ 1.571,28*
pro 6 Stück
 
 Packung
Transistor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; TO264 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO264 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 68A Kollektorstrom im Impuls: 202A Anschaltzeit...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT68GA60LD40
ab € 11,18*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; PT; 600V; 54A; 416W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 54A Kollektorstrom im Impuls: 161A Anschaltze...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT54GA60BD30
ab € 7,63*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 295 A +/-20V max., 1200 V 1,05 kW Modul (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 295 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Verlustleistung max. = 1,05 kW Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = Tafelmontage
Infineon
FD200R12KE3HOSA1
ab € 1.425,20*
pro 10 Stück
 
 Packung
Transistor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO264 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO264 Kollektor-Emitter-Spannung: 900V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 64A Kollektorstrom im Impuls: 193A Anschaltzeit...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT64GA90LD30
ab € 11,77*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 50 A 20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW EASY2B N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = EASY2B Channel-Typ = N
Infineon
FP50R12KT4PBPSA1
€ 1.205,50*
pro 10 Stück
 
 Packung
Transistor: IGBT; PT; 600V; 96A; 833W; T-Max (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: T-Max Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 96A Kollektorstrom im Impuls: 250A Anschaltzeit...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT65GP60B2G
ab € 17,82*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; Planar; 1,2kV; 5A; 45W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 5A Kollektorstrom im Impuls: 9A Anschaltzeit: 110ns Ausschaltze...
IXYS
IXA4IF1200TC
ab € 3,44*
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