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  Leistungstransistor  (335 Angebote unter 29.345.308 Artikeln)

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"Leistungstransistor"

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Diotec Transistor (BJT) - diskret BC557C TO-92 Anzahl Kanäle 1 PNP (5 Angebote) 
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC557C TO-92 Anzahl Kanäle 1 PNP Bipolar-Standard-Leistungstransistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -...
Diotec
BC557C
ab € 0,0261*
pro Stück
 
 Stück
Transistor TIP147, PNP-Darl., 100V, 10A, 125W, TO247 (1 Angebot) 
Transistor TIP147, PNP-Darl., 100V, 10A, 125W, TO247 Leistungstransistor TIP147, PNP-Darl., 100V, 10A, 125W, TO247
ST Microelectronics
131475
ab € 3,08*
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 Stück
Leistungstransistor, NPN, 120V, TO-220 (1 Angebot) 
Leistungstransistor, Typ=BD651, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=3 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstro...
Comset Semiconductors
BD651
ab € 1,27*
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 Stück
Infineon SIPMOS® BSP322PH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 1 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = SOT-223 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 800 mΩ Channel-Modus = Enhanceme...
Infineon
BSP322PH6327XTSA1
ab € 19,37*
pro 50 Stück
 
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3773 TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN (2 Angebote) 
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3773 TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN Bipolar-Standard-Leistungstransistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Stro...
onsemi
2N3773
ab € 6,10*
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 Stück
Transistor TIP2955, PNP, 60V, 15A, 90W, B:20-70, TO247 (1 Angebot) 
Transistor TIP2955, PNP, 60V, 15A, 90W, B:20-70, TO247 Leistungstransistor TIP2955, PNP, 60V, 15A, 90W, B:20-70, TO247
ST Microelectronics
131476
ab € 2,28*
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Leistungstransistor, NPN, 140V, TO-3P (1 Angebot) 
Leistungstransistor, Typ=2SD1047, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=6 V, Gleichs...
k.A.
2SD1047
ab € 3,65*
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Infineon SIPMOS® BSS84PH6327XTSA2 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 170 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 170 mA Drain-Source-Spannung max. = 60 V Serie = SIPMOS® Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 8 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-...
Infineon
BSS84PH6327XTSA2
ab € 122,07*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3904BU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN (1 Angebot) 
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3904BU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN Bipolar-Standard-Leistungstransistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector...
onsemi
2N3904BU
ab € 0,082*
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Transistor TIP3055, NPN 60V, 15A, 90W, B:20-70, TO247 (1 Angebot) 
Transistor TIP3055, NPN 60V, 15A, 90W, B:20-70, TO247 Leistungstransistor TIP3055, NPN 60V, 15A, 90W, B:20-70, TO247
ST Microelectronics
130326
ab € 2,14*
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Leistungstransistor, NPN, 150V, TO-220 (4 Angebote) 
Leistungstransistor, Typ=MJE15030G, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleic...
onsemi
MJE15030G
ab € 0,58*
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Infineon SIPMOS® BSS83PH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 330 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23 (4 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 330 mA Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 3 Ω Channel-Modus = Enhancement...
Infineon
BSS83PH6327XTSA1
ab € 0,102*
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N6284 TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington (3 Angebote) 
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N6284 TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington Darlington Leistungstransistor Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS. Technische Daten: Anzahl...
onsemi
2N6284
ab € 7,20*
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 Stück
Transistor, TIP122, NPN-Darl., 100 V, 5 A, 65 W, TO220 (1 Angebot) 
Transistor, TIP122, NPN-Darl., 100 V, 5 A, 65 W, TO220 NPN Darlington Leistungstransistor 100 V, 5 A, 65 W im TO 220 Gehäuse.
ST Microelectronics
131469
ab € 1,38*
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 Stück
Leistungstransistor, NPN, 1kV, SOT-32 (1 Angebot) 
Leistungstransistor, Typ=BUX87, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstro...
k.A.
BUX87
ab € 0,917*
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