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  Leistungstransistor  (341 Angebote unter 27.649.652 Artikeln)

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"Leistungstransistor"

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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC337/25TA TO-92 Anzahl Kanäle 1 NPN (6 Angebote) 
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC337/25TA TO-92 Anzahl Kanäle 1 NPN Bipolar-Standard-Leistungstransistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector...
onsemi
BC337/25TA
ab € 0,0468*
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Leistungstransistor, NPN, 300V, SOT-32 (1 Angebot) 
Leistungstransistor, Typ=MJE340, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=3 V, Gleichstr...
k.A.
MJE340
ab € 0,7186*
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Transistor TIP3055, NPN 60V, 15A, 90W, B:20-70, TO247 (1 Angebot) 
Transistor TIP3055, NPN 60V, 15A, 90W, B:20-70, TO247 Leistungstransistor TIP3055, NPN 60V, 15A, 90W, B:20-70, TO247
ST Microelectronics
130326
ab € 2,93*
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Infineon BSS192P Transistor 30 V (3 Angebote)
Infineon
BSS192PH6327FTSA1
ab € 0,172*
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC546ABU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN (6 Angebote) 
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC546ABU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN Bipolar-Standard-Leistungstransistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector...
onsemi
BC546ABU
ab € 0,0304*
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Leistungstransistor, NPN, 300V, TO-225 (4 Angebote) 
Leistungstransistor, Typ=MJE340G, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=3 V, Gleichs...
onsemi
MJE340G
ab € 0,199*
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Infineon SPD30P06P G Transistor 30 V (4 Angebote)
Infineon
SPD30P06PGBTMA1
ab € 0,712*
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC550CG TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN (3 Angebote) 
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC550CG TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN Bipolar-Standard-Leistungstransistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-...
onsemi
BC550CG
ab € 0,58*
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Leistungstransistor, NPN, 30V, SOT-32 (1 Angebot) 
Leistungstransistor, Typ=2SD882, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1.2 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichs...
k.A.
2SD882
ab € 0,7253*
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Infineon SIPMOS BSS83PH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 330 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23 (4 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 330 mA Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 3 Ω Channel-Modus = Enhancement...
Infineon
BSS83PH6327XTSA1
ab € 0,132*
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC557BTA TO-92 Anzahl Kanäle 1 PNP (6 Angebote) 
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC557BTA TO-92 Anzahl Kanäle 1 PNP Bipolar-Standard-Leistungstransistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-S...
onsemi
BC557BTA
ab € 0,0387*
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Leistungstransistor, NPN, 400V, SOT-223 (1 Angebot) 
Leistungstransistor, Typ=STN83003, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=18 V, Gleich...
k.A.
STN83003
ab € 0,4126*
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Infineon BSP92P Transistor 100 V (3 Angebote)
Infineon
BSP92PH6327XTSA1
ab € 0,256*
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11016G TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington (8 Angebote) 
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11016G TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington Darlington Leistungstransistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darli...
onsemi
MJ11016G
ab € 2,65*
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Leistungstransistor, NPN, 400V, TO-220 (4 Angebote) 
Leistungstransistor, Typ=FJP13009H2TU, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1.6 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=9 V, G...
onsemi
FJP13009H2TU
ab € 0,829*
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