Leistungstransistor  (341 Angebote unter 27.649.206 Artikeln)

Leistungstransistor, Typ=TIP35C, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichst...

2er Pack Transistor BDW94C, PNP-Darl., 100 V, 12 A, 80 W, TO220 Leistungstransistor BDW94C, PNP-Darlington, 100 V, 12 A, 80 W, TO220

Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 430 mA Drain-Source-Spannung max. = 250 V Gehäusegröße = SOT-223 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 5 Ω Channel-Modus = Enhanceme...

Diotec Transistor (BJT) - diskret BC549C TO-92 Anzahl Kanäle 1 NPN Bipolar-Standard-Leistungstransistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1...

Leistungstransistor, Typ=2N3773G, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=200 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=7 V, Gleichs...

4er Pack Hochspannungs-Leistungstransistor mit Damper-Diode BUH515D NPN, VCES 1500 V, VCEO 700 V, IC 8 A, Ptot 50 W, NPN, VCES 1500 V, VCEO 700 V, IC 8 A, Ptot 50 W, TO-3PML.

Diotec Transistor (BJT) - diskret BC556B TO-92 Anzahl Kanäle 1 PNP Bipolar-Standard-Leistungstransistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -...

Leistungstransistor, Typ=2SD1047, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=6 V, Gleichs...

5er Pack Leistungstransistor BD242C

Diotec Transistor (BJT) - diskret BC557B TO-92 Anzahl Kanäle 1 PNP Bipolar-Standard-Leistungstransistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -...

Leistungstransistor, Typ=MJE15030G, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleic...

5er Pack Transistor BD241C, NPN, 100V, 3A, 40W, TO220 Leistungstransistor BD241C, NPN, 100V, 3A, 40W, TO220

Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 1,17 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = SOT-223 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 800 mΩ Channel-Modus = Enhance...