IGBT  (2.776 Angebote unter 27.994.125 Artikeln)Zum Expertenwissen

IGBT, IXYX120N120C3, Littelfuse Hochgeschwindigkeits-IGBT für das Schalten mit 20-50 kHz, optimiert für niedrige Schaltverluste bei hoher Leistungsdichte und geringem Gate-Ansteuerungsbedarf. Featu...

IGBT, IXYX120N120B3, Littelfuse Hochgeschwindigkeits-IGBT für das Schalten von 10-30 kHz mit hoher Leistungsdichte und geringem Gate-Ansteuerungsbedarf. Features * Quadratischer RBSOA * Avalanche-t...

IGBT, IXYX200N65B3, Littelfuse Extrem lichtdurchlässiger IGBT, optimiert für das Schalten von 10-30kHz mit hoher Leistungsdichte und geringen Gate-Ansteuerungsanforderungen. Features * Quadratische...

IGBT, IXYX140N90C3, Littelfuse Hochgeschwindigkeits-IGBT für das Schalten mit 20-50 kHz, optimiert für niedrige Schaltverluste bei hoher Leistungsdichte und geringem Gate-Ansteuerungsbedarf. Featur...

IGBT, IXYX50N170C, Littelfuse Hochspannungs-IGBT mit hoher Strombelastbarkeit, hoher Leistungsdichte und geringem Gate-Antriebsbedarf. Features * Hohe Blockierspannung * Niedrige Sättigungsspannung...

IGBT, IXYX300N65A3, Littelfuse Ultra-Niedrig-Vsat-PT-IGBT mit hoher Strombelastbarkeit, hoher Leistungsdichte und geringem Gate-Ansteuerungsbedarf. Features * Quadratischer RBSOA * Avalanche-taugli...

Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDD05N60T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDD05N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente f...

IGBT, IXYY8N90C3, Littelfuse Hochgeschwindigkeits-IGBT für das Schalten mit 20-50 kHz, optimiert für niedrige Schaltverluste bei hoher Leistungsdichte und geringem Gate-Ansteuerungsbedarf. Features...

Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDW30N60T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDW30N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente f...

Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDW20N60T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDW20N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines bipolaren Transistors zu einem optimalen Bauteil f...

Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDW50N65T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDW30N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente f...

Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDNW30N60H3, Bourns Der IGBT-Baustein BIDW30N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente...

IGBTs, IRG4PC40SPBF, Infineon Technologies Der IRG4PC40SPBF ist ein Transistor, der einen hohen Wirkungsgrad aufweist und für bestimmte Anwendungsbedingungen optimiert ist. Features * Standard opti...

A2C35S12M3-F IGBT- und Motorsteuerungsplatine, Typ=STEVAL-HKI001V2, Frequenz=72 MHz, Höhe=-999, Länge=-999, Programmspeicher=32 kB, Speichergrösse=128 kB, Konnektivität, drahtlos=-888, Name der Pro...

Infineon Technologies SGW25N120 IGBT TO247-3-PG Einzeln Standard 1200 V 1200 V Fast IGBT Technische Daten: Ausführung (Transistoren): NPT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 730 ns · Collecto...