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| Artikel-Nr.:
4502-26S9096 Herst.-Nr.:
BIDW50N65T EAN/GTIN:
4099891587666 |
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| Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDW50N65T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDW30N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieser Baustein verwendet die Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, die eine bessere Kontrolle der dynamischen Eigenschaften mit einer niedrigeren Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)) und geringeren Schaltverlusten ermöglicht. Darüber hinaus bietet diese Struktur einen geringeren Wärmewiderstand R(th). Features * Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat) * Trench-Gate-Feld-Stopp-Technik * Geringer Schaltverlust * RoHS-konform Anwendungen * Schaltnetzteile (SMPS) * Unterbrechungsfreie Stromquellen (UPS) * Leistungsfaktor-Korrektur (PFC) Weitere Informationen: | | Ausführung: | Einfach | Gehäuse: | TO-247 | max. Temperatur: | 150 °C | min. Temperatur: | -55 °C | Montage: | THT | Sättigungsspannung: | 2.2 V | Schaltverlust b. Ausschalten Eoff typ.: | 1.1 mJ | Schaltverlust b. Einschalten Eon typ.: | 3 mJ | Verlustleistung VA (AC): | 416 W | SVHC frei: | Ja | RoHS konform: | Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente |
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