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| Artikel-Nr.:
4502-17S7434 Herst.-Nr.:
FP40R12KE3BOSA1 EAN/GTIN:
4099879035660 |
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| IGBT-Transistor, FP40R12KE3BOSA1, NXP Der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ist ein Leistungshalbleiter mit drei Anschlüssen, der sich durch hohe Effizienz und schnelles Schalten auszeichnet. Der IGBT kombiniert die einfachen Gate-Ansteuerungseigenschaften der MOSFETs mit der Hochstrom- und Niedrig-Sättigungsspannungsfähigkeit von Bipolartransistoren, indem er einen isolierten Gate-FET für den Steuereingang und einen bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Bauelement kombiniert. Weitere Informationen: | | Anwendung: | Energiemanagement/Medizin | Ausführung: | Dreiphasiger Wechselrichter | max. Spannung: | 1200 V | max. Strom: | 55 A | max. Temperatur: | 125 °C | SVHC frei: | Ja | RoHS konform: | Ja |
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