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Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskoden-; 650V; 18,2A


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Produktinformationen
Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskoden-; 650V; 18,2A
Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskoden-; 650V; 18,2A
Artikel-Nr.:
     2805-UJ3C065080B3
Hersteller:
     Qorvo (UnitedSiC)
Herst.-Nr.:
     UJ3C065080B3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Jfet
Junction-FET
Junktion-FET
SMD-Transistor
Hersteller: Qorvo (UnitedSiC)
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 18,2A
Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ
Transistor-Typ: N-JFET/N-MOSFET
Verlustleistung: 115W
Polarisierung: unipolar
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Gate-Ladung: 51nC
Technologie: SiC
Transistor-Art: Kaskoden-
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 65A
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