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Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskoden-; 650V; 47A


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskoden-; 650V; 47A
Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskoden-; 650V; 47A
Artikel-Nr.:
     2805-UJ3C065030B3
Hersteller:
     Qorvo (UnitedSiC)
Herst.-Nr.:
     UJ3C065030B3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Jfet
Junction-FET
Junktion-FET
SMD-Transistor
Hersteller: Qorvo (UnitedSiC)
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 47A
Widerstand im Leitungszustand: 27mΩ
Transistor-Typ: N-JFET/N-MOSFET
Verlustleistung: 250W
Polarisierung: unipolar
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Gate-Ladung: 51nC
Technologie: SiC
Transistor-Art: Kaskoden-
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 230A
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