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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1200V; 3,5A; Idm: 12A


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1200V; 3,5A; Idm: 12A
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1200V; 3,5A; Idm: 12A
Artikel-Nr.:
     2805-STP8N120K5
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STP8N120K5
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220-3
Drain-Source Spannung: 1,2kV
Drainstrom: 3,5A
Widerstand im Leitungszustand:
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 130W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Technologie: MDmesh™ K5
Kanal-Art: stark
Drainstrom im Impuls: 12A
Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, mosfet
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