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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23


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Produktinformationen
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23
Artikel-Nr.:
     2805-SQ2325ES-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQ2325ES-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: -150V
Drainstrom: -1A
Widerstand im Leitungszustand: 4,4Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET
Anwendung: Automobilbranche
Verlustleistung: 1W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 10nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: -2A
Weitere Suchbegriffe: mosfet sot23
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