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Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0,225W; SOT23; Igt: 10mA


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0,225W; SOT23; Igt: 10mA
Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0,225W; SOT23; Igt: 10mA
Artikel-Nr.:
     2805-MMBFJ309LT1G
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     MMBFJ309LT1G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Jfet
Junction-FET
Junktion-FET
SMD-Transistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Gatestrom: 10mA
Drain-Source Spannung: 25V
Drainstrom: 30mA
Transistor-Typ: N-JFET
Verlustleistung: 0,225W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Source Spannung: 25V
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