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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2,5kV; 3A; 417W; TO264; 370ns


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2,5kV; 3A; 417W; TO264; 370ns
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2,5kV; 3A; 417W; TO264; 370ns
Artikel-Nr.:
     2805-IXTK3N250L
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTK3N250L
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO264
Bereitschaftszeit: 370ns
Drain-Source Spannung: 2,5kV
Drainstrom: 3A
Widerstand im Leitungszustand: 10Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 417W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: linear power mosfet
Gate-Ladung: 230nC
Kanal-Art: stark
Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet
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