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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 3kV; 1A; 195W; TO247HV; 1,8us


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 3kV; 1A; 195W; TO247HV; 1,8us
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 3kV; 1A; 195W; TO247HV; 1,8us
Artikel-Nr.:
     2805-IXTH1N300P3HV
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTH1N300P3HV
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO247HV
Bereitschaftszeit: 1,8µs
Drain-Source Spannung: 3kV
Drainstrom: 1A
Widerstand im Leitungszustand: 50Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 195W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: standard power mosfet
Kanal-Art: stark
Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet
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