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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB
Artikel-Nr.:
     2805-IRL640PBF
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     IRL640PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 11A
Widerstand im Leitungszustand: 0,27Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 125W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 66nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±10V
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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