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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC


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Produktinformationen:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Artikel-Nr.:
     2805-IRFP250NPBF
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFP250NPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: THT
Gehäuse: TO247AC
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 30A
Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 214W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 123nC
Technologie: HEXFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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