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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0,5W; SuperSOT-3

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Produktinformationen

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0,5W; SuperSOT-3

Artikel-Nr.:
2805-FDN360P

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
FDN360P

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet

Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: SuperSOT-3
Drain-Source Spannung: -30V
Drainstrom: -2A
Widerstand im Leitungszustand: 136mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 0,5W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
Gate-Ladung: 9nC
Technologie: PowerTrench®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V

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