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| Artikel-Nr.: 139-8648859 Herst.-Nr.: IRFBE30PBF EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3 ohmProduktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 4.1 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-220AB Drain-Source-Spannung Vds: 800 VVerlustleistung: 125 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: Lead (19-Jan-2021) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, leistungs-mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, IRFBE30PBF, 8648859, 864-8859 |
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