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| Artikel-Nr.: 139-3365531 Herst.-Nr.: SIHG105N60EF-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088 ohmProduktpalette: EF IV Gen MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 29 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-247AC Drain-Source-Spannung Vds: 600 VVerlustleistung: 208 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 VSVHC: Lead (19-Jan-2021) RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHG105N60EF-GE3, 3365531, 336-5531 |
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