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Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.028 ohm
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
139-2932992
Hersteller:
Vishay
Herst.-Nr.:
SQS966ENW-T1_GE3
EAN/GTIN:
k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal:
60 V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal:
6 A
Produktpalette:
TrenchFET Series
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins:
8 Pin(s)
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal:
60 V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal:
6 A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal:
0.028 ohm
Kanaltyp:
n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal:
0.028 ohm
Verlustleistung, n-Kanal:
27.8 W
Verlustleistung, p-Kanal:
27.8 W
Betriebstemperatur, max.:
175 °C
Bauform - Transistor:
PowerPAK 1212
Qualifikation:
AEC-Q101
SVHC:
No SVHC (10-Jun-2022)
RoHS konform: Ja
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Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden
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FETs
>
Zweifache MOSFET
Weitere Suchbegriffe:
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FETs
,
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Thyristoren
,
Transistoren
,
Zweifache
,
VISHAY
,
SQS966ENW-T1_GE3
,
2932992
,
293-2992
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Warenzustand:
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