Produktinformationen: | | |
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| Artikel-Nr.:
115-30283860 Herst.-Nr.:
BFR193E6327HTSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| HF-Transistor, Typ=BFR193E6327HTSA1, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-999, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=2 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=100, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=20 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=12 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=-999, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=80 mA, Leistungsverteilung (PV)=580 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=-999, Verstärkungsbandbreite=-999, Übergangsfrequenz=8 GHz, Bauform=SOT-23, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Band & Rolle |
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