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SiC-MOSFET-Kaskode, N-Kanal, 650V, 25A, D2PAK-3


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     115-30151461
Hersteller:
     United Silicon Carbide
Herst.-Nr.:
     UJ3C065080B3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet d2pak
mosfet
SiC-MOSFET-Kaskode, Typ=UJ3C065080B3, Abfallzeit=11 ns, Anstiegzeit=13 ns, Ausschaltverzögerung=59 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=650 V, Einschaltverzögerung=18 ns, Gate-Source-Spannung=25 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=25 A, Leistungsverteilung (PV)=115 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=250 °C, Widerstand EIN (Rds(On))=80 mΩ, Bauform=D2PAK-3, Konfiguration=Einfach, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=N-Kanal
Weitere Informationen:
Ursprungsland:
CN
Höhe:
5 mm
Tiefe:
11 mm
Bruttogewicht:
2 g
Breite:
5 mm
MERCATEO_WA_NR:
8541290000
Weitere Suchbegriffe: SiC-MOSFET-Kaskode
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